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光刻

新式半导体光刻技术中，极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一，不过其实现难度也相当高，从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年，仍然未能投入实用。极紫外光刻面临的关键挑战之一就是寻找合适的光刻胶(photoresist)，也就是用来在芯片层表面光刻出特定图案的材料。它必须对极紫外辐射非常敏感，这样才能刻出