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极紫外光
光刻胶材料的重大突破 极紫外光刻迈向实用
新式半导体光刻技术中,极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一,不过其实现难度也相当高,从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年, 仍然未能投入实用。极紫外光刻面临的关键挑战之一就是寻找合适的光刻胶(photoresist),也就是用来在芯片层表面光刻出特定图案的材料。它必须对极紫外辐射 非常敏感,这样才能刻出
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